SK hynix: разработки CXMT в области DRAM 4F² не представляют непосредственной угрозы

Разработки CXMT в области DRAM 4F² не представляют непосредственной угрозы для SK hynix Inc.: сохраняющееся технологическое отставание и разрыв в доступе к EUV-литографии позволяют SK hynix удерживать конкурентное преимущество. Компания активно инвестирует в EUV-литографию и EUV с высокой числовой апертурой (High-NA), создавая условия для лидерства по мере перехода DRAM к трёхмерным архитектурам и более высокой плотности. Хотя предложение из Китая может оказать давление на цены DRAM, заключённые SK hynix долгосрочные соглашения, охватывающие более 50% производственных мощностей на 2027–2028 годы, поддерживают позитивный прогноз на несколько лет.