Samsung Electronics: HBM займет почти 30% производственных мощностей DRAM в следующем году

Представитель Samsung Electronics во вторник заявил, что высокоскоростная память (HBM) ожидается на уровне почти 30% от общей производственной мощности производителей чипов динамической оперативной памяти (DRAM) в следующем году. В настоящее время этот показатель составляет около 20%. Это означает значительный рост доли HBM в общем объеме выпуска DRAM, что отражает растущий спрос на эту технологию.