Renesas укрепляет лидерство в области энергосистем с новыми ГаН транзисторами для высокоплотного преобразования энергии в центрах обработки данных с ИИ, промышленных и зарядных системах

Renesas представила три высоковольтных 650-вольтных GaN полевых транзистора (FET) для применения в центрах обработки данных с искусственным интеллектом и системах электропитания серверов, зарядных станциях для электротранспорта, ИБП и системах хранения энергии.

Компания Renesas Electronics является ведущим поставщиком полупроводниковых решений, особенно в области автомобильной и промышленной электроники. Их высоковольтные GaN транзисторы известны своим высоким КПД и способностью снижать энергопотребление в различных приложениях.