onsemi представляет вертикальные GaN-полупроводники: прорыв для развития ИИ и электрификации

Основанная на новаторской технологии GaN-on-GaN, вертикальная архитектура GaN компании onsemi устанавливает новый стандарт мощности, эффективности и надежности. GaN (галлий нитрид) известен своими высокими проводимыми свойствами и широким диапазоном напряжений, что делает эту технологию особенно привлекательной для применения в высокопроизводительных и энергоэффективных компонентах. В отличие от традиционной конструкции на кремнии, GaN-on-GaN позволяет улучшить тепловую эффективность и уменьшить потери энергии, что особенно важно для быстроразвивающихся отраслей, таких как электромобили и возобновляемые источники энергии. Кроме того, использование нашей собственной архитектуры GaN позволяет уменьшить физический размер компонентов на 40%, сохраняя при этом производительность, что увеличивает их привлекательность для современных компактных устройств.