Lam Research установила шаг 28 нм в области паттернинга высокого разрешения с помощью технологии сухого фоторезиста

ФРЕМОНТ, Калифорния. 14 января 2025 г. /PRNewswire/ -- Корпорация Lam Research (Nasdaq: LRCX) сегодня объявила о том, что ее инновационная технология сухого фоторезиста (dry resist) была квалифицирована для прямой печати логики с шагом 28 нм на заднем конце линии (BEOL) при нормах 2 нм и ниже компанией imec, ведущим центром исследований и инноваций в области наноэлектроники и цифровых технологий.