Компания Tower Semiconductor объявила о доступности новой технологии CPO Foundry на ведущих оптических платформах Sipho и EIC от Tower

Компания Tower расширяет свои передовые технологии соединения пластин для интеграции фотоники на кремнии (SiPho) и кремния на изоляторе (RF-SOI), что позволит создавать компактные высокопроизводительные чипы для рынков телекоммуникаций и обработки данных нового поколения.

Технология соединения пластин является ключевой для создания многоуровневых интегральных схем, которые необходимы для повышения производительности и снижения энергопотребления в современных электронных устройствах. На сегодняшний день рынок высокоскоростных чипов демонстрирует устойчивый рост, прогнозируется, что его объём достигнет $83 млрд к 2027 году. Использование SiPho и RF-SOI в чипах позволяет достичь более высоких скоростей передачи данных и улучшить качество работы устройств в сетях связи пятого поколения (5G).