Компания Mitsubishi Electric начнет поставки образцов четырех новых кристаллов Trench SiC-MOSFET для силовых полупроводников

Mitsubishi Electric Corporation объявила, что с 21 января начнет отгрузку образцов четырех новых кремниево-карбидных приборов на базе полевого транзистора с изолированным затвором (SiC-MOSFET) без корпуса, предназначенных для использования в электрооборудовании, таком как тяговые инверторы для электромобилей, встроенные зарядные устройства и системы электроснабжения для возобновляемых источников энергии, включая солнечную энергию.

Эти новые устройства предназначены для повышения энергоэффективности и снижения размеров и веса силового оборудования. Mitsubishi Electric активно занимается разработками в области силовой электроники на основе кремниевого карбида из-за его превосходных электрических характеристик, таких как более высокая максимальная частота переключения и более низкие потери энергии по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами. SiC-технология способствует ускорению развития более эффективных и экономичных решений в сфере возобновляемых источников энергии.